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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/12 14:39:25 查看 閱讀�436

IRF7341TRPBF是一種N溝道MOSFET晶體管,它由柵極、漏極和源極組成。它是一種高功率�(kāi)�(guān)器件,主要應(yīng)用于電源和電�(dòng)工具等領(lǐng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠提供高效的開(kāi)�(guān)性能和可靠的工作�(wěn)定��
  IRF7341TRPBF是一種N溝道MOSFET晶體管,可以用于控制電流的開(kāi)�(guān)和調(diào)節(jié)。在�(kāi)�(guān)控制電路中,它通常被用作高�(cè)或低�(cè)�(kāi)�(guān)。當(dāng)控制電路施加正電壓時(shí),柵極與源極之間的電�(chǎng)�(huì)形成一�(gè)電容,這�(gè)電容�(huì)將電荷存�(chǔ)在柵極上,使得漏極與源極之間的電阻變?yōu)楹苄〉闹?。這時(shí),電流就可以從源極流向漏�,從而形成導(dǎo)通狀�(tài)。當(dāng)控制電路施加�(fù)電壓�(shí),柵極與源極之間的電�(chǎng)�(huì)變得非常微弱,電荷也�(huì)被釋�。這樣,漏極與源極之間的電阻就變得非常大,電流就無(wú)法從源極流向漏極,從而形成截�?fàn)顟B(tài)�

基本�(jié)�(gòu)

IRF7341TRPBF的基本結(jié)�(gòu)由柵�、漏極和源極三�(gè)電極組成。它的柵極是一�(gè)金屬電極,用于控制電流的�(kāi)�(guān)和調(diào)節(jié)。漏極和源極是兩�(gè)半導(dǎo)體區(qū)�,用于控制電流的流動(dòng)。在正常工作狀�(tài)�,漏極和源極之間的電阻非常小,電流可以自由地從源極流向漏�,從而形成導(dǎo)通狀�(tài)。在截止?fàn)顟B(tài)�,漏極和源極之間的電阻非常大,電流無(wú)法從源極流向漏極�

參數(shù)

1、額定電壓:55V
  2、額定電流:10A
  3、導(dǎo)通電阻:20mΩ
  4、靜�(tài)漏電流:1μA
  5、門(mén)極電荷:18nC

特點(diǎn)

1、高效能:低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,提供高效的�(kāi)�(guān)性能�
  2、可靠性:能夠提供可靠的工作穩(wěn)定�,具有優(yōu)異的耐壓和耐溫性能�
  3、低漏電流:靜態(tài)漏電流非常小,能夠保證系�(tǒng)的低功��
  4、低損耗:由于低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠減少功率損耗�

工作原理

IRF7341TRPBF是一款N溝道MOSFET晶體�,由柵極、漏極和源極組成。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),電子會(huì)從源極流向漏極,從而形成導(dǎo)通狀�(tài)。反�,當(dāng)柵極施加�(fù)電壓�(shí),電子不�(huì)流向漏極,從而形成截�?fàn)顟B(tài)�

�(yīng)�

IRF7341TRPBF廣泛�(yīng)用于功率�(kāi)�(guān)和電源應(yīng)用領(lǐng)�,包括:
  1、電源開(kāi)�(guān)和逆變�
  2、電�(dòng)工具和白色家�
  3、汽�(chē)電子和LED照明
  4、無(wú)線電和通信系統(tǒng)

安裝要點(diǎn)

1、在安裝之前,要仔細(xì)閱讀�(shù)�(jù)手冊(cè),了解產(chǎn)品的參數(shù)和特��
  2、在安裝�(guò)程中,要注意避免靜電干擾,避免損壞器件�
  3、應(yīng)選擇合適的散熱器,以確保器件能夠正常工作�
  4、在焊接�(guò)程中,要注意控制溫度和時(shí)間,避免燒壞器件�

irf7341trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7341trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf7341trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 4.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds740pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF7341PBFTR