IRF7343I是一款N溝道邏輯電平增強型MOSFET,采用PowerPak SO-8封裝形式。該器件專為高頻、低功耗應用而設�,具有極低的導通電阻和快速開關性能,適用于DC-DC轉換�、負載開關、電機驅動以及電源管理等場景�
該MOSFET能夠以較低的柵極驅動電壓實現高效的開關操�,適合在便攜式設備和其他對能效要求較高的場合中使��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V時)
輸入電容�1240pF
總柵極電荷:16nC
最大工作結溫:175°C
封裝形式:PowerPak SO-8
IRF7343I具備非常低的導通電阻(Rds(on)�,從而可以減少傳導損耗,提高整體效率�
其柵極閾值電壓較�,支持低�4.5V的邏輯電平直接驅�,減少了對外部驅動電路的需��
此外,該器件的開關速度較快,總柵極電荷較小,這使得它非常適合高頻應用�(huán)��
該產品還具有良好的熱�(wěn)定性和耐用�,在高負載和高溫條件下依然能夠保持穩(wěn)定的性能表現�
IRF7343I廣泛應用于各種電力電子領�,例如同步整�、降�/升壓轉換�、負載點(POL)轉換器、電池管理系�(tǒng)、消費類電子產品中的負載開關控制以及小型電機驅動��
由于其高�、緊湊的設計特點,該MOSFET特別適合空間受限且對功率密度要求較高的應用環(huán)��
IRL7343,
STP16NF06L,
AO3400