IRF7343ITRPBF是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Vishay International Rectifier制�。該器件集成了兩�(gè)�(dú)立的MOSFET,分別具有不同的�(dǎo)通電阻和電壓等級(jí),適用于各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在降低�(kāi)�(guān)損耗并提高效率,廣泛應(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流電路以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
這款芯片采用了TSSOP-8封裝形式,能夠顯著減少寄生電�,并且提供卓越的散熱性能。通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,IRF7343ITRPBF在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
型號(hào):IRF7343ITRPBF
封裝形式:TSSOP-8
Vds(漏源擊穿電壓)�30V / 20V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�9mΩ(典型�,Vgs=10V�/ 15mΩ(典型值,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏電流)�36A / 32A
Qg(柵極電荷)�14nC / 20nC
BVDSS(漏源極間額定電壓)�30V / 20V
fT(特征頻率)�1.5MHz / 2.4MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
輸入電容�1220pF / 1720pF
IRF7343ITRPBF具備以下主要特性:
1. 集成雙MOSFET�(jié)�(gòu),一�(gè)�30V/9mΩ,另一�(gè)�20V/�
2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗�
3. 小巧的TSSOP-8封裝形式,節(jié)省PCB空間并提升熱性能�
4. 柵極電荷�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
5. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工��
7. 可靠性高,適用于�(yán)苛的工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��
IRF7343ITRPBF的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端和低端開(kāi)�(guān)�
2. 同步整流電路以提高效��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管理模��
4. 電池保護(hù)與管理系�(tǒng)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制電��
7. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)��
8. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)設(shè)�(jì)�
9. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率解決方��
IRF7303TRPBF, IRF7344TRPBF