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IRF7457TR 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 14:51:14 查看 閱讀:31

IRF7457TR是英飛凌(Infineon)公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用Trench技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適合用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。IRF7457TR采用TO-252 (DPAK) 封裝形式,能夠提供出色的散熱性能。
  這款MOSFET以其快速開關(guān)速度和低柵極電荷特性而著稱,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)整體效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:39A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值,當(dāng)Vgs=10V時)
  柵極電荷:38nC(典型值)
  總功耗:18W
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

IRF7457TR是一款高性能的功率MOSFET,具備以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于其低柵極電荷設(shè)計,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。
  3. 高額定電流,使其適用于需要大電流輸出的應(yīng)用場景。
  4. 廣泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  5. TO-252封裝提供良好的電氣和熱性能,便于PCB布局與安裝。
  此外,該器件還具有高可靠性及長期穩(wěn)定性,非常適合對效率和性能要求較高的工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。

應(yīng)用

IRF7457TR主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括適配器、充電器和其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于汽車電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制。
  3. 電機(jī)驅(qū)動,支持各種類型的直流無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制。
  4. 負(fù)載開關(guān),在筆記本電腦、平板電腦及其他便攜式設(shè)備中起到電路保護(hù)作用。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),實(shí)現(xiàn)高效充放電管理及過流保護(hù)功能。

替代型號

IRF7458TR, IRF7459TR

irf7457tr推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7457tr參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)