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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7465

IRF7465 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:32:29 查看 閱讀�38

IRF7465是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Vishay International Rectifier生產(chǎn)。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電��
  IRF7465的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高電流處理能力,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。它廣泛�(yīng)用于�(jì)算機(jī)、通信�(shè)�、消�(fèi)電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域中的DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�49A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�235W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+150°C
  封裝�(lèi)型:TO-220

特�

IRF7465具備以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 邏輯電平兼容柵極�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(qū)�(dòng)功��
  4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的可靠性和魯棒性�
  5. 封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)TO-220,便于安裝與散熱管理�

�(yīng)�

IRF7465可應(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 電池保護(hù)及負(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號(hào)

IRF7407, IRF7408

irf7465推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7465資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf7465參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝95
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.9A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫歐 @ 1.14A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRF7465