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IRF7466TRPBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 11:34:30 查看 閱讀:27

IRF7466TRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 溝道功率 MOSFET,采用 ThinPAK-8 封裝形式。該器件設(shè)計用于高頻開關(guān)應(yīng)用和高效率功率轉(zhuǎn)換場景。IRF7466TRPBF 具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和極低的柵極電荷(Qg),從而優(yōu)化了其在高頻條件下的性能表現(xiàn)。其耐壓能力為 60V,廣泛適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器(POL)、電機(jī)驅(qū)動以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款器件通過減少導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,提升了整體系統(tǒng)效率,同時 ThinPAK-8 封裝也提供了更優(yōu)的散熱性能和較小的占板面積,非常適合對空間敏感的設(shè)計。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大漏電流:32A
  導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷:19nC
  總柵極電荷:15nC
  輸入電容:1040pF
  輸出電容:1200pF
  反向傳輸電容:220pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗。
  2. 極低的柵極電荷(Qg),有助于提升開關(guān)速度并減少開關(guān)損耗。
  3. 高電流處理能力(32A),適合大功率應(yīng)用。
  4. 耐用的封裝設(shè)計,具備良好的熱性能。
  5. 工作溫度范圍寬廣(-55℃ 至 +150℃),適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
  7. 薄型封裝(ThinPAK-8),節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計。
  8. 支持高頻開關(guān)操作,適用于現(xiàn)代高效能電源解決方案。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 負(fù)載點轉(zhuǎn)換器(POL)
  4. 電機(jī)驅(qū)動控制
  5. 電池管理與保護(hù)
  6. 工業(yè)自動化中的功率級電路
  7. 消費類電子產(chǎn)品的功率模塊
  8. 通信設(shè)備中的功率放大與調(diào)節(jié)

替代型號

IRF7467TRPBF, IRF7468TRPBF, SiA447DJ

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7466trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 11A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2100pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7466PBFTRIRF7466TRPBF-NDIRF7466TRPBFTR-ND