IRF7467TR 是一款高性能� N �?? HEXFET 功率 MOSFET,由 Vishay 公司生產。該器件采用 SO-8 封裝形式,廣泛用于開關電�、DC-DC 轉換�、電機控制以及其他功率管理應用中。IRF7467TR 的設計優(yōu)化了導通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并降低了功耗�
這款 MOSFET 的最大特點是其較低的導通電阻和高開關速度,使其在高頻應用中表�(xiàn)出色。同�,SO-8 封裝提供了良好的散熱性能和緊湊的設計,適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:29A
導通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
柵極電荷�13nC
總電容:250pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IRF7467TR 的主要特性包括低導通電� (5.5mΩ),這有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
此外,其較小的柵極電� (13nC) 和快速開關能力使得它非常適合高頻開關應用。該器件還具有出色的熱穩(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內保持可靠的性能�
SO-8 封裝不僅提供�(yōu)異的電氣性能,還具備良好的機械穩(wěn)定性和�(huán)境適應性,確保在各種苛刻條件下正常工作�
其高漏極電流能力 (29A) 和較高的漏源電壓 (60V) 為設計者提供了更大的靈活性,適用于多種功率電子電��
IRF7467TR 主要應用于需要高效功率轉換的領域,如 DC-DC 轉換�、開關電�、電池管理系�(tǒng)、電機驅動以及電信設備中的功率管理模��
由于其低導通電阻和高電流處理能�,它也常用于負載開關和保護電��
此外,其緊湊的封裝和高可靠性使其成為便攜式設備和工�(yè)自動化設備的理想選擇�
IRF7407TR, IRF7408TR, IRF7410TR