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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRF7467TR

IRF7467TR 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:17:47 查看 閱讀�29

IRF7467TR 是一款高性能� N �?? HEXFET 功率 MOSFET,由 Vishay 公司生產。該器件采用 SO-8 封裝形式,廣泛用于開關電�、DC-DC 轉換�、電機控制以及其他功率管理應用中。IRF7467TR 的設計優(yōu)化了導通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并降低了功耗�
  這款 MOSFET 的最大特點是其較低的導通電阻和高開關速度,使其在高頻應用中表�(xiàn)出色。同�,SO-8 封裝提供了良好的散熱性能和緊湊的設計,適合空間受限的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:29A
  導通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
  柵極電荷�13nC
  總電容:250pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IRF7467TR 的主要特性包括低導通電� (5.5mΩ),這有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  此外,其較小的柵極電� (13nC) 和快速開關能力使得它非常適合高頻開關應用。該器件還具有出色的熱穩(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內保持可靠的性能�
  SO-8 封裝不僅提供�(yōu)異的電氣性能,還具備良好的機械穩(wěn)定性和�(huán)境適應性,確保在各種苛刻條件下正常工作�
  其高漏極電流能力 (29A) 和較高的漏源電壓 (60V) 為設計者提供了更大的靈活性,適用于多種功率電子電��

應用

IRF7467TR 主要應用于需要高效功率轉換的領域,如 DC-DC 轉換�、開關電�、電池管理系�(tǒng)、電機驅動以及電信設備中的功率管理模��
  由于其低導通電阻和高電流處理能�,它也常用于負載開關和保護電��
  此外,其緊湊的封裝和高可靠性使其成為便攜式設備和工�(yè)自動化設備的理想選擇�

替代型號

IRF7407TR, IRF7408TR, IRF7410TR

irf7467tr推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7467tr參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2530pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)