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IRF7475TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 15:22:06 查看 閱讀�27

IRF7475TRPBF 是一� N �(méi)道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 TSSOP-8 封裝,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)旨在提供高效率和低導(dǎo)通損耗的解決方案,適用于需要高性能和可靠性的�(yīng)用場(chǎng)合�
  IRF7475TRPBF 以其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性著�(chēng),適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,并且能夠承受較高的電流�(fù)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵極源極電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�50A
  脈沖漏極電流�100A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  總柵極電荷:29nC
  輸入電容�2480pF
  輸出電容�1350pF
  反向傳輸電容�280pF
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

IRF7475TRPBF 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低導(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,從而減小磁性元件的尺寸并提高效率�
  3. 高電流處理能�,確保在大電流應(yīng)用中具有出色的性能�
  4. 增強(qiáng)型熱性能封裝,有助于有效散熱�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
  6. 提供可靠的電氣隔�,減少電磁干擾(EMI��
  這些特性使� IRF7475TRPBF 成為高效功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)的理想選��

�(yīng)�

IRF7475TRPBF 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  4. UPS 系統(tǒng)中的逆變器模��
  5. 工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的功率管理�
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  由于其優(yōu)異的性能,IRF7475TRPBF 在各種工�(yè)、消�(fèi)�(lèi)和汽�(chē)電子�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRF7476TRPBF, IRF7477TRPBF, IRF7478TRPBF

irf7475trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7475trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 8.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1590pF @ 6V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF7475TRPBF-NDIRF7475TRPBFTR