IRF7476TRPBF 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強型功� MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合用于高效率、高頻的�(yīng)用場�。其封裝形式� SO-8,適用于表面貼裝工藝,能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)等領(lǐng)域,憑借其低導(dǎo)通損耗和快速開�(guān)能力,成為眾多設(shè)計中的理想選��
型號:IRF7476TRPBF
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):56A
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�1.2V � 2.4V
Qg(總柵極電荷):15nC
fT(特征頻率)�1.9MHz
封裝:SO-8
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
IRF7476TRPBF 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電� Id�56A�,可滿足大電流應(yīng)用的需��
3. 快速開�(guān)能力,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和較高的特征頻率 fT�
4. 支持邏輯電平�(qū)�,兼容標(biāo)�(zhǔn)� CMOS � TTL 輸出信號,簡化了電路�(shè)��
5. 小巧� SO-8 封裝,節(jié)� PCB 空間并具備良好的散熱性能�
6. 寬廣的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
IRF7476TRPBF 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電��
4. 電機�(qū)動器中的 H 橋或半橋配置�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源管理解決方案�
7. 通信�(shè)備中的動�(tài)負載�(diào)節(jié)和功率分��
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,IRF7476TRPBF 成為許多高性能電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵元��
IRF7476GTRPBF, IRF7476DPBF