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IRF7757TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/9 16:14:25 查看 閱讀�229

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFETs - 陣列

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFETs - 陣列

    系列:HEXFET?

    FET 型:2 �(gè) N 溝道(雙�

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�35 毫歐 @ 4.8A, 4.5V

    漏極至源極電�(Vdss)�20V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�4.8A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.2V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�23nC @ 4.5V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1340pF @ 15V

    功率 - 最大:1.2W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼�8-TSSOP

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP


資料

廠商
Infineon / IR

irf7757trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7757trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 4.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1340pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP�0.173"�4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-TSSOP
  • 包裝帶卷 (TR)