時間：2025/4/28 20:20:21
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IRF7835TRPBF是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用TrenchFET? Gen II技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電路。其封裝形式為TO-263-3（D2PAK），適合表面貼裝工藝。
IRF7835TRPBF廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動、電源管理等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能參數(shù)，這款MOSFET在消費電子、工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域都有較多應(yīng)用。
最大漏源電壓：40V
最大連續(xù)漏極電流：92A
最大柵極源極電壓：±20V
典型導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.3mΩ @ Vgs=10V
總功耗：140W
工作結(jié)溫范圍：-55°C to 175°C
封裝類型：TO-263-3 (D2PAK)
IRF7835TRPBF采用了先進的TrenchFET? Gen II技術(shù)，使得其具備非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），從而減少了功率損耗并提高了效率。此外，它還具有快速開關(guān)速度，能夠支持高頻應(yīng)用，同時保持較低的開關(guān)損耗。
該器件的漏源電壓為40V，非常適合低壓應(yīng)用場合，例如電池供電設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)中的負載切換。
其高達92A的連續(xù)漏極電流能力，確保了在高電流條件下仍能穩(wěn)定運行。同時，IRF7835TRPBF的工作溫度范圍較寬，從-55°C到175°C，適應(yīng)多種環(huán)境條件下的使用需求。
此外，IRF7835TRPBF的TO-263-3封裝具有良好的散熱性能，有助于提升整體系統(tǒng)的可靠性。
IRF7835TRPBF主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. DC-DC轉(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源（SMPS）
3. 電機驅(qū)動
4. 汽車電子中的負載切換
5. 工業(yè)自動化控制
6. 通信設(shè)備中的功率管理
7. 筆記本電腦及平板電腦適配器
8. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊
IRF7836TRPBF, IRF7837TRPBF, FDP5500
