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IRF7904PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/9 16:13:10 查看 閱讀：426

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFETs - 陣列

    系列：HEXFET?

   

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFETs - 陣列

    系列：HEXFET?

    FET 型：2 個(gè) N 溝道（雙）

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

    開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.2 毫歐 @ 7.6A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：7.6A, 11A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 25μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：910pF @ 15V

    功率 - 最大：1.4W, 2W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（3.9mm 寬）

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO


資料

廠商
Infineon / IR

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irf7904pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A，11A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C16.2 毫歐 @ 7.6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.25V @ 25µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds910pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W，2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝管件