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IRF7910PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 16:13:03 查看 閱讀�992

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFETs - 陣列

    系列:HEXFET?

    

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFETs - 陣列

    系列:HEXFET?

    FET 型:2 � N 溝道(雙�

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�15 毫歐 @ 8A, 4.5V

    漏極至源極電�(Vdss)�12V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�10A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�26nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �1730pF @ 6V

    功率 - 最大:2W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO


資料

廠商
Infineon / IR

irf7910pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irf7910pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 8A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1730pF @ 6V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝管件