IRF8513PBF是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件由Vishay公司生產(chǎn),適用于各種開關(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電�。其高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)特性使其成為高效能電源管理的理想選��
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):190mΩ(典型值,Vgs=10V�
輸入電容�1440pF
總功耗:17W
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
IRF8513PBF具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓設(shè)計確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 低導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損�,從而提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. 具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工作�
5. 封裝形式緊湊,易于集成到各種電子�(shè)備中�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的同步整流元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 各類工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的功率管理模塊�
IRF8514PBF, IRF8515PBF