IRF8513PBF是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件由Vishay公司生產(chǎn),適用于各種開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換電路。其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻以及快速開關(guān)特性使其成為高效能電源管理的理想選擇。
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):190mΩ(典型值,Vgs=10V)
輸入電容:1440pF
總功耗:17W
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
IRF8513PBF具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓設(shè)計確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
2. 低導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下正常工作。
5. 封裝形式緊湊,易于集成到各種電子設(shè)備中。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
4. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 各類工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
IRF8514PBF, IRF8515PBF