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IRF8513PBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 17:38:16 查看 閱讀:25

IRF8513PBF是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件由Vishay公司生產(chǎn),適用于各種開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換電路。其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻以及快速開關(guān)特性使其成為高效能電源管理的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:14A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):190mΩ(典型值,Vgs=10V)
  輸入電容:1440pF
  總功耗:17W
  工作溫度范圍:-55°C至+150°C

特性

IRF8513PBF具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓設(shè)計確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  2. 低導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)速度使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
  4. 具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下正常工作。
  5. 封裝形式緊湊,易于集成到各種電子設(shè)備中。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
  4. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  5. 各類工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。

替代型號

IRF8514PBF, IRF8515PBF

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irf8513pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A,11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫歐 @ 8A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds766pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.5W,2.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝管件