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IRF8707TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/5/31 14:28:01 查看 閱讀:455

IRF8707TRPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體管,由國際整流器公司(International Rectifier)生產(chǎn)。它具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種高性能電源應(yīng)用。
  IRF8707TRPBF的導(dǎo)通電阻非常低,通常為4.2毫歐姆,這使得它能夠在高電流下有效地傳輸電力,從而提供更高的功率密度。同時(shí),它還具有較低的開關(guān)電阻,可以快速從導(dǎo)通到截?cái)酄顟B(tài)轉(zhuǎn)換,提供更高的開關(guān)效率。
  此外,IRF8707TRPBF還具有較高的耐壓能力,工作電壓可達(dá)30伏特,使其適用于多種電源設(shè)計(jì)。它還具有低輸入和輸出電容,有助于減少功耗和提高系統(tǒng)效率。
  IRF8707TRPBF采用TO-252封裝,這種封裝形式很常見,并且易于安裝和焊接。它的尺寸小巧,適合于緊湊的電路板設(shè)計(jì)。

參數(shù)和指標(biāo)

1、導(dǎo)通電阻(RDS(on)):通常為4.2毫歐姆,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下,從源極到漏極的電阻。
  2、工作電壓(VDS):最大工作電壓為30伏特,表示晶體管能夠承受的最大電壓。
  3、最大漏極電流(ID):最大漏極電流為8安培,表示晶體管能夠承受的最大電流。
  4、開關(guān)電容(Ciss、Coss、Crss):Ciss表示輸入電容,Coss表示輸出電容,Crss表示反向傳輸電容,分別表示晶體管的輸入、輸出和反向傳輸?shù)碾娙荨?br>  5、熱阻(Rth):熱阻表示晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下的溫度上升,通常為45°C/W。

組成結(jié)構(gòu)

IRF8707TRPBF采用TO-252封裝,也稱為DPAK封裝。該封裝形式很常見,并且易于安裝和焊接。它的尺寸小巧,適合于緊湊的電路板設(shè)計(jì)。

工作原理

IRF8707TRPBF是一種N溝道MOSFET,它是一種三端口設(shè)備,由源極、柵極和漏極組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),形成導(dǎo)電通道,電流可以從源極流過,經(jīng)過漏極。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),導(dǎo)電通道關(guān)閉,電流無法通過。

技術(shù)要點(diǎn)

1、低導(dǎo)通電阻:IRF8707TRPBF具有低導(dǎo)通電阻,能夠在高電流下有效地傳輸電力,提供更高的功率密度。
  2、高開關(guān)速度:IRF8707TRPBF具有較低的開關(guān)電阻,可以快速從導(dǎo)通到截?cái)酄顟B(tài)轉(zhuǎn)換,提供更高的開關(guān)效率。
  3、較高的耐壓能力:IRF8707TRPBF工作電壓可達(dá)30伏特,適用于多種電源設(shè)計(jì)。
  4、低輸入和輸出電容:IRF8707TRPBF具有低輸入和輸出電容,有助于減少功耗和提高系統(tǒng)效率。

設(shè)計(jì)流程

設(shè)計(jì)IRF8707TRPBF的電路流程通常包括以下幾個(gè)步驟:
  1、確定應(yīng)用需求,包括工作電壓、電流要求等。
  2、根據(jù)需求選擇合適的IRF8707TRPBF型號,并了解其參數(shù)和指標(biāo)。
  3、進(jìn)行電路設(shè)計(jì),包括連接IRF8707TRPBF的其他元件和電路。
  4、進(jìn)行電路模擬和驗(yàn)證,使用仿真軟件驗(yàn)證設(shè)計(jì)的性能。
  5、制作電路板并進(jìn)行實(shí)際測試和驗(yàn)證。

注意事項(xiàng)

1、在設(shè)計(jì)過程中,應(yīng)注意IRF8707TRPBF的最大工作電壓和最大漏極電流,確保電路可以承受這些參數(shù)。
  2、注意IRF8707TRPBF的熱阻值,以避免過熱。
  3、確保正確的焊接和安裝過程,以確保良好的連接和導(dǎo)熱性能。

irf8707trpbf推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf8707trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.9 毫歐 @ 11A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds760pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF8707TRPBFTR