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IRF8707TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/5/31 14:28:01 查看 閱讀�455

IRF8707TRPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體�,由國際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)。它具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高性能電源�(yīng)��
  IRF8707TRPBF的導(dǎo)通電阻非常低,通常�4.2毫歐�,這使得它能夠在高電流下有效地傳輸電力,從而提供更高的功率密度。同�(shí),它還具有較低的開關(guān)電阻,可以快速從�(dǎo)通到�?cái)酄顟B(tài)�(zhuǎn)�,提供更高的開關(guān)效率�
  此外,IRF8707TRPBF還具有較高的耐壓能力,工作電壓可�(dá)30伏特,使其適用于多種電源�(shè)�(jì)。它還具有低輸入和輸出電�,有助于減少功耗和提高系統(tǒng)效率�
  IRF8707TRPBF采用TO-252封裝,這種封裝形式很常�,并且易于安裝和焊接。它的尺寸小�,適合于緊湊的電路板�(shè)�(jì)�

參數(shù)和指�(biāo)

1、導(dǎo)通電阻(RDS(on)):通常�4.2毫歐�,表示在�(dǎo)通狀�(tài)�,從源極到漏極的電阻�
  2、工作電壓(VDS):最大工作電壓為30伏特,表示晶體管能夠承受的最大電��
  3、最大漏極電流(ID):最大漏極電流為8安培,表示晶體管能夠承受的最大電流�
  4、開�(guān)電容(Ciss、Coss、Crss):Ciss表示輸入電容,Coss表示輸出電容,Crss表示反向傳輸電容,分別表示晶體管的輸�、輸出和反向傳輸?shù)碾娙�?br>  5、熱阻(Rth):熱阻表示晶體管在�(dǎo)通狀�(tài)下的溫度上升,通常�45°C/W�

組成�(jié)�(gòu)

IRF8707TRPBF采用TO-252封裝,也稱為DPAK封裝。該封裝形式很常�,并且易于安裝和焊接。它的尺寸小�,適合于緊湊的電路板�(shè)�(jì)�

工作原理

IRF8707TRPBF是一種N溝道MOSFET,它是一種三端口�(shè)�,由源極、柵極和漏極組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),形成導(dǎo)電通道,電流可以從源極流過,經(jīng)過漏�。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),導(dǎo)電通道�(guān)�,電流無法通過�

技�(shù)要點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:IRF8707TRPBF具有低導(dǎo)通電�,能夠在高電流下有效地傳輸電�,提供更高的功率密度�
  2、高開關(guān)速度:IRF8707TRPBF具有較低的開�(guān)電阻,可以快速從�(dǎo)通到�?cái)酄顟B(tài)�(zhuǎn)換,提供更高的開�(guān)效率�
  3、較高的耐壓能力:IRF8707TRPBF工作電壓可達(dá)30伏特,適用于多種電源�(shè)�(jì)�
  4、低輸入和輸出電容:IRF8707TRPBF具有低輸入和輸出電容,有助于減少功耗和提高系統(tǒng)效率�

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)IRF8707TRPBF的電路流程通常包括以下幾�(gè)步驟�
  1、確定應(yīng)用需�,包括工作電壓、電流要求等�
  2、根�(jù)需求選擇合適的IRF8707TRPBF型號,并了解其參�(shù)和指�(biāo)�
  3、�(jìn)行電路設(shè)�(jì),包括連接IRF8707TRPBF的其他元件和電路�
  4、�(jìn)行電路模擬和�(yàn)證,使用仿真軟件�(yàn)證設(shè)�(jì)的性能�
  5、制作電路板并�(jìn)行實(shí)際測試和�(yàn)��

注意事項(xiàng)

1、在�(shè)�(jì)過程�,應(yīng)注意IRF8707TRPBF的最大工作電壓和最大漏極電�,確保電路可以承受這些參數(shù)�
  2、注意IRF8707TRPBF的熱阻�,以避免過熱�
  3、確保正確的焊接和安裝過�,以確保良好的連接和導(dǎo)熱性能�

irf8707trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf8707trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.9 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds760pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF8707TRPBFTR