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IRF9640PBF 發(fā)布時間 時間:2024/3/18 14:38:05 查看 閱讀:867

IRF9640PBF是一款高性能N溝道MOSFET晶體管。它采用了先進的封裝技術(shù),具有低導通電阻和高功率處理能力。IRF9640PBF的主要特點包括:
  1、低導通電阻:IRF9640PBF的導通電阻非常低,可以實現(xiàn)高效率的功率傳輸。這使得它適用于需要高功率輸出的應用。
  2、高電流處理能力:IRF9640PBF可以處理高電流,因此適用于需要大功率的應用,如電源放大器和電機驅(qū)動器。
  3、高可靠性:IRF9640PBF采用了高質(zhì)量的材料和制造工藝,具有出色的可靠性和穩(wěn)定性。它可以在各種環(huán)境條件下工作,并具有長壽命。
  4、先進的封裝技術(shù):IRF9640PBF采用了先進的封裝技術(shù),如TO-220AB封裝,便于安裝和熱散熱。
  5、大功率處理能力:IRF9640PBF能夠處理大功率,適用于需要高功率輸出的應用,如音頻功放和電源放大器。

參數(shù)指標

1、額定電壓(Vds):200V
  2、額定電流(Id):11A
  3、靜態(tài)漏源極電阻(Rds(on)):0.33Ω
  4、級聯(lián)壓降(Vgs(th)):2V
  5、最大功耗(Pd):42W
  6、封裝類型:TO-220AB

組成結(jié)構(gòu)

IRF9640PBF采用經(jīng)典的MOSFET晶體管結(jié)構(gòu),由溝道、柵極、漏極和源極組成。溝道是一個非導電的材料,柵極通過改變溝道的電場來調(diào)節(jié)溝道的導電性,漏極和源極分別連接到晶體管的兩端。

工作原理

IRF9640PBF的工作原理基于MOSFET晶體管的原理。當柵極電壓(Vgs)高于閾值電壓(Vgs(th))時,柵極和源極之間產(chǎn)生正向電場,使得溝道導電,從而形成導通狀態(tài)。在導通狀態(tài)下,漏極和源極之間的電流(Id)可以通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制。

技術(shù)要點

1、高電壓和大電流承受能力:IRF9640PBF的額定電壓為200V,額定電流為11A,能夠承受較高的功耗。
  2、低漏源極電阻:IRF9640PBF的靜態(tài)漏源極電阻為0.33Ω,能夠減小功耗和導通損耗。
  3、封裝類型:IRF9640PBF采用TO-220AB封裝,易于安裝和散熱。

設(shè)計流程

1、確定電路的工作電壓和電流需求。
  2、根據(jù)工作電流和電壓,選擇合適的IRF9640PBF晶體管。
  3、根據(jù)電路的要求,計算柵極電壓和電流。
  4、確定散熱要求,選擇合適的散熱器。
  5、進行電路布局和連線設(shè)計。
  6、進行電路仿真和驗證。
  7、制作和測試原型電路。
  8、進行性能測試和調(diào)整。

注意事項

1、正確選擇工作電壓和電流范圍內(nèi)的晶體管,避免超過其額定值。
  2、注意散熱問題,確保晶體管的溫度不會過高,以免影響性能和壽命。
  3、注意靜電防護,避免靜電對晶體管造成損害。
  4、使用合適的電源和電流限制器,以保護晶體管和其他電路元件。
  5、在布局和連線設(shè)計時,盡量減小電流環(huán)路面積,減少干擾和損耗。

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irf9640pbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫歐 @ 6.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9640PBF