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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF9640PBF

IRF9640PBF 發(fā)布時間 時間�2024/3/18 14:38:05 查看 閱讀�867

IRF9640PBF是一款高性能N溝道MOSFET晶體�。它采用了先進的封裝技�(shù),具有低導通電阻和高功率處理能�。IRF9640PBF的主要特點包括:
  1、低導通電阻:IRF9640PBF的導通電阻非常低,可以實�(xiàn)高效率的功率傳輸。這使得它適用于需要高功率輸出的應用�
  2、高電流處理能力:IRF9640PBF可以處理高電流,因此適用于需要大功率的應�,如電源放大器和電機�(qū)動器�
  3、高可靠性:IRF9640PBF采用了高�(zhì)量的材料和制造工�,具有出色的可靠性和�(wěn)定�。它可以在各種環(huán)境條件下工作,并具有長壽��
  4、先進的封裝技�(shù):IRF9640PBF采用了先進的封裝技�(shù),如TO-220AB封裝,便于安裝和熱散��
  5、大功率處理能力:IRF9640PBF能夠處理大功率,適用于需要高功率輸出的應�,如音頻功放和電源放大器�

參數(shù)指標

1、額定電壓(Vds):200V
  2、額定電流(Id):11A
  3、靜�(tài)漏源極電阻(Rds(on)):0.33Ω
  4、級�(lián)壓降(Vgs(th)):2V
  5、最大功耗(Pd):42W
  6、封裝類型:TO-220AB

組成�(jié)�(gòu)

IRF9640PBF采用�(jīng)典的MOSFET晶體管結(jié)�(gòu),由溝道、柵�、漏極和源極組成。溝道是一個非導電的材�,柵極通過改變溝道的電場來�(diào)節(jié)溝道的導電�,漏極和源極分別連接到晶體管的兩��

工作原理

IRF9640PBF的工作原理基于MOSFET晶體管的原理。當柵極電壓(Vgs)高于閾值電壓(Vgs(th))時,柵極和源極之間�(chǎn)生正向電�,使得溝道導�,從而形成導通狀�(tài)。在導通狀�(tài)�,漏極和源極之間的電流(Id)可以通過�(diào)節(jié)柵極電壓來控��

技�(shù)要點

1、高電壓和大電流承受能力:IRF9640PBF的額定電壓為200V,額定電流為11A,能夠承受較高的功耗�
  2、低漏源極電阻:IRF9640PBF的靜�(tài)漏源極電阻為0.33Ω,能夠減小功耗和導通損��
  3、封裝類型:IRF9640PBF采用TO-220AB封裝,易于安裝和散熱�

�(shè)計流�

1、確定電路的工作電壓和電流需��
  2、根�(jù)工作電流和電�,選擇合適的IRF9640PBF晶體��
  3、根�(jù)電路的要�,計算柵極電壓和電流�
  4、確定散熱要�,選擇合適的散熱��
  5、進行電路布局和連線�(shè)計�
  6、進行電路仿真和驗��
  7、制作和測試原型電路�
  8、進行性能測試和調(diào)��

注意事項

1、正確選擇工作電壓和電流范圍�(nèi)的晶體管,避免超過其額定值�
  2、注意散熱問�,確保晶體管的溫度不會過高,以免影響性能和壽命�
  3、注意靜電防護,避免靜電對晶體管造成損害�
  4、使用合適的電源和電流限制器,以保護晶體管和其他電路元件�
  5、在布局和連線�(shè)計時,盡量減小電流環(huán)路面�,減少干擾和損��

irf9640pbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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irf9640pbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫歐 @ 6.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9640PBF