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IRF9Z14PBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/9 15:31:10 查看 閱讀：365

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

  


目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫歐 @ 4A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6.7A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：270pF @ 25V

    功率 - 最大：43W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

    其它名稱：*IRF9Z14PBF


資料

廠商
Vishay Semiconductors

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irf9z14pbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫歐 @ 4A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最大43W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9Z14PBF