類別:分離式半導體產品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:HEXFET?
類別:分離式半導體產品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫歐 @ 9.3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :900pF @ 25V
功率 - 最大:74W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)
包裝:管件
供應商設備封裝:*
其它名稱:*IRF9Z30PBF
廠商 |
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Vishay Semiconductors |