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IRFB16N50KPBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/9 15:20:28 查看 閱讀:600

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

 

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:350 毫歐 @ 10A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:17A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:89nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2210pF @ 25V

    功率 - 最大:280W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱:*IRFB16N50KPBF


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irfb16n50kpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 10A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs89nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2210pF @ 25V
  • 功率 - 最大280W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB16N50KPBF