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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/9 15:07:36 查看 閱讀�655

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    

目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�3 毫歐 @ 75A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�120A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 150μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�170nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �6540pF @ 50V

    功率 - 最大:300W

    安裝�(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引�(xiàn))

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB


資料

廠商
Infineon Technologies

irfb3206gpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irfb3206gpbf資料 更多>

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irfb3206gpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 75A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6540pF @ 50V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件