IRFB38N20D 是一款由英飛凌(Infineon)推出的 N 灃道 Mosfet,屬于邏輯電平驅(qū)動型器件。該芯片采用 TO-252 封裝形式,適用于需要高效率和低導通損耗的應用場景。由于其�(yōu)異的性能,IRFB38N20D 廣泛應用于開關電�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域�
這款功率 MOSFET 的最大特點是具有較低的導通電� (Rds(on)) 和較高的工作電壓,能夠支� 200V 的最大漏源極電壓,同時在低柵極驅(qū)動電壓下也能實現(xiàn)高效的導通性能�
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏電流:14.1A
導通電阻:0.25Ω(在 Vgs=10V 時)
柵極閾值電壓:2V � 4V
總功耗:97W
封裝類型:TO-252
IRFB38N20D 提供了多種優(yōu)越特�,使其成為許多電力電子應用的理想選擇。首�,它具有較低的導通電阻,這有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
其次,該 MOSFET 支持邏輯電平�(qū)�,這意味著它可以在較低的柵極驅(qū)動電壓下正常工作,例如常見的 5V 或� 3.3V �(qū)動信�,從而簡化了電路設計�
此外,IRFB38N20D 具有快速的開關速度,可以降低開關損耗并適合高頻應用。最�,它的封裝形式緊湊且散熱性能良好,方便用戶集成到各種終端�(chǎn)品中�
IRFB38N20D 主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動和控制
4. 電池管理與保護電�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率開�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切�
IRFZ44N, FQP17N20