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時(shí)間：2025/6/4 1:58:07
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IRFB38N20DPBF 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），采用 TO-263-3 封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于各種高頻開關(guān)應(yīng)用，例如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
該型號(hào)屬于邏輯電平 MOSFET，其柵極閾值電壓較低，非常適合與微控制器或其他低電壓信號(hào)源直接連接。
最大漏源電壓：200V
連續(xù)漏極電流：11.4A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.15Ω（在 Vgs=10V 時(shí)）
柵極電荷：25nC
總開關(guān)能量：150nJ
功耗：27W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
IRFB38N20DPBF 具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力：200V 的漏源電壓使得該器件能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻：在 Vgs=10V 的情況下，導(dǎo)通電阻僅為 0.15Ω，從而減少了導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能：低柵極電荷和快速開關(guān)時(shí)間使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 寬溫工作范圍：從 -55°C 到 +175°C 的工作溫度范圍確保了其在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 熱穩(wěn)定性好：通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，該器件能夠有效管理熱量，進(jìn)一步提高使用壽命。
IRFB38N20DPBF 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：由于其高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，非常適合用于開關(guān)電源中的高頻開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：可以作為主開關(guān)或同步整流 MOSFET 使用，提升轉(zhuǎn)換效率。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速。
4. 負(fù)載開關(guān)：用作負(fù)載的開啟/關(guān)閉控制，提供高效且可靠的切換功能。
5. 工業(yè)控制：適用于各種工業(yè)設(shè)備中的功率控制模塊，如電磁閥驅(qū)動(dòng)、繼電器控制等。
IRFZ44N, STP11NM50, FDN340P
