此數(shù)字音頻MOSFET專為D類音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種MOSFET利用最新的加工技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻。此外,柵極電荷、體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過(guò)優(yōu)化,以提高關(guān)鍵的D類音頻放大器性能因素,如效率、THD和EMI。這種MOSFET的其他特性是175°C的工作結(jié)溫和重復(fù)雪崩能力。這些特性相結(jié)合,使這款MOSFET成為D類音頻放大器應(yīng)用的高效、堅(jiān)固和可靠的器件。
針對(duì)D類音頻放大器應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
低RDSON,提高效率
低QG和QSW,可獲得更好的總諧波失真和更高的效率
低QRR可獲得更好的THD和更低的EMI
75°C工作結(jié)溫,堅(jiān)固耐用
在半橋配置放大器中,每個(gè)通道可向28?2負(fù)載提供高達(dá)300W的功率
額定功率:100 W
針腳數(shù):3
漏源極電阻:0.1Ω
極性:N-Channel
耗散功率:100 W
閾值電壓:4.9 V
輸入電容:1200 pF
漏源極電壓(Vds):200 V
連續(xù)漏極電流(Ids):18A
上升時(shí)間:12 ns
輸入電容(Ciss):1200pF 50V(Vds)
額定功率(Max):100 W
下降時(shí)間:6.3 ns
工作溫度(Max):175℃
工作溫度(Min):-55℃
耗散功率(Max):100W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳數(shù):3
封裝:TO-220-3
長(zhǎng)度:10.66 mm
寬度:4.82 mm
高度:9.02 mm
封裝:TO-220-3
材質(zhì):Silicon
工作溫度:-55℃~175℃(TJ)
RoHS標(biāo)準(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛標(biāo)準(zhǔn):Lead Free
產(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:Audio,Consumer Electronics,Power Managemen