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IRFB4020PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/8/23 15:54:13 查看 閱讀:866

此數(shù)字音頻MOSFET專為D類音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種MOSFET利用最新的加工技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻。此外,柵極電荷、體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過(guò)優(yōu)化,以提高關(guān)鍵的D類音頻放大器性能因素,如效率、THD和EMI。這種MOSFET的其他特性是175°C的工作結(jié)溫和重復(fù)雪崩能力。這些特性相結(jié)合,使這款MOSFET成為D類音頻放大器應(yīng)用的高效、堅(jiān)固和可靠的器件。

特征說(shuō)明

針對(duì)D類音頻放大器應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
  低RDSON,提高效率
  低QG和QSW,可獲得更好的總諧波失真和更高的效率
  低QRR可獲得更好的THD和更低的EMI
  75°C工作結(jié)溫,堅(jiān)固耐用
  在半橋配置放大器中,每個(gè)通道可向28?2負(fù)載提供高達(dá)300W的功率

技術(shù)參數(shù)

額定功率:100 W
  針腳數(shù):3
  漏源極電阻:0.1Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率:100 W
  閾值電壓:4.9 V
  輸入電容:1200 pF
  漏源極電壓(Vds):200 V
  連續(xù)漏極電流(Ids):18A
  上升時(shí)間:12 ns
  輸入電容(Ciss):1200pF 50V(Vds)
  額定功率(Max):100 W
  下降時(shí)間:6.3 ns
  工作溫度(Max):175℃
  工作溫度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):100W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳數(shù):3
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

長(zhǎng)度:10.66 mm
  寬度:4.82 mm
  高度:9.02 mm
  封裝:TO-220-3

物理參數(shù)

材質(zhì):Silicon
  工作溫度:-55℃~175℃(TJ)

符合標(biāo)準(zhǔn)

RoHS標(biāo)準(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛標(biāo)準(zhǔn):Lead Free

其他

產(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:Audio,Consumer Electronics,Power Managemen

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irfb4020pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 11A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 100µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 50V
  • 功率 - 最大100W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件