国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好，歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置：電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > IRFB4020PBF

IRFB4020PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2024/8/23 15:54:13 查看 閱讀：866

此數(shù)字音頻MOSFET專為D類音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種MOSFET利用最新的加工技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻。此外，柵極電荷、體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以提高關(guān)鍵的D類音頻放大器性能因素，如效率、THD和EMI。這種MOSFET的其他特性是175°C的工作結(jié)溫和重復(fù)雪崩能力。這些特性相結(jié)合，使這款MOSFET成為D類音頻放大器應(yīng)用的高效、堅(jiān)固和可靠的器件。

特征說(shuō)明

針對(duì)D類音頻放大器應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
　　低RDSON，提高效率
　　低QG和QSW，可獲得更好的總諧波失真和更高的效率
　　低QRR可獲得更好的THD和更低的EMI
　　75°C工作結(jié)溫，堅(jiān)固耐用
　　在半橋配置放大器中，每個(gè)通道可向28?2負(fù)載提供高達(dá)300W的功率

技術(shù)參數(shù)

額定功率：100 W
　　針腳數(shù)：3
　　漏源極電阻：0.1Ω
　　極性：N-Channel
　　耗散功率：100 W
　　閾值電壓：4.9 V
　　輸入電容：1200 pF
　　漏源極電壓(Vds)：200 V
　　連續(xù)漏極電流(Ids)：18A
　　上升時(shí)間：12 ns
　　輸入電容(Ciss)：1200pF 50V(Vds)
　　額定功率(Max)：100 W
　　下降時(shí)間：6.3 ns
　　工作溫度(Max)：175℃
　　工作溫度(Min)：-55℃
　　耗散功率(Max)：100W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式：Through Hole
　　引腳數(shù)：3
　　封裝：TO-220-3

外形尺寸

長(zhǎng)度：10.66 mm
　　寬度：4.82 mm
　　高度：9.02 mm
　　封裝：TO-220-3

物理參數(shù)

材質(zhì)：Silicon
　　工作溫度：-55℃~175℃(TJ)

符合標(biāo)準(zhǔn)

RoHS標(biāo)準(zhǔn)：RoHS Compliant
　　含鉛標(biāo)準(zhǔn)：Lead Free

其他

產(chǎn)品生命周期：Active
　　包裝方式：Tube
　　制造應(yīng)用：Audio,Consumer Electronics,Power Managemen

irfb4020pbf推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfb4020pbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfb4020pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 11A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4.9V @ 100µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 50V
  • 功率 - 最大100W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件