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IRFB4110PBF 發(fā)布時間 時間�2024/6/20 15:43:04 查看 閱讀�782

IRFB4110PBF是一款N溝道MOSFET功率晶體管,由國際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)。它是一種低電阻、高性能的功率晶體管,適用于高效率的功率轉換應用�
  IRFB4110PBF具有低導通電阻和低開關損耗的特點,能夠在高頻率和高電流下工作,提供高效的功率轉換能力。它的最大電流能力為180安培,最大電壓能力為100伏特。此�,它還具有低輸入和輸出電�,使其能夠實�(xiàn)快速開關和降低功��
  IRFB4110PBF采用TO-220封裝,便于安裝和散熱。它的設計使其能夠適應各種工作環(huán)�,包括工�(yè)控制、電源管�、電機驅動和汽車應用等�
  IRFB4110PBF具有�(yōu)異的溫度�(wěn)定性和可靠�,能夠在寬溫度范圍內正常工作。它還具有過�、過熱和過壓保護功能,提高了系統(tǒng)的安全性和可靠��

參數(shù)和指�

1、最大漏極電流(ID):180A
  2、最大漏�-源極電壓(VDS):100V
  3、最大柵�-源極電壓(VGS):±20V
  4、典型導通電阻(RDS(ON)):4.5mΩ
  5、最大功耗(PD):250W
  6、工作溫度范圍(TJ):-55°C�+175°C

組成結構

IRFB4110PBF采用TO-220封裝,封裝材料為鋁合�,導熱性能良好,便于安裝和散熱。內部結構由多個N溝道MOSFET單元組成,通過并聯(lián)來提高整體的電流和功率承受能力�

工作原理

IRFB4110PBF是一種N溝道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)功率晶體管,其工作原理基于場效�。當柵極與源極之間的電壓(VGS)大于閾值電壓時,形成一個電子通道,使漏極與源極之間的電流(ID)能夠流通。通過控制柵極電壓,可以調節(jié)電流的大小�

技術要�

1、低導通電阻:IRFB4110PBF具有低導通電�,能夠提供低功耗和高效率的功率轉換�
  2、低開關損耗:由于其低輸入和輸出電�,能夠實�(xiàn)快速開關,減少能量損失�
  3、溫度穩(wěn)定性:IRFB4110PBF具有�(yōu)異的溫度�(wěn)定�,能夠在廣泛的溫度范圍內正常工作�
  4、過流、過熱和過壓保護:具備保護功�,能夠提高系�(tǒng)的安全性和可靠性�

設計流程

設計IRFB4110PBF的電路和系統(tǒng)需要考慮以下步驟�
  1、確定所需的電流和電壓范圍�
  2、根�(jù)需求選擇合適的驅動電路和控制電��
  3、根�(jù)IRFB4110PBF的參�(shù)和指�,計算電路中的電阻、電�、電感等元件的數(shù)值�
  4、進行電路布局和焊�,確保電路中的元件連接正確�
  5、進行電路測試和性能評估,根�(jù)測試結果進行�(yōu)化調整�

常見故障及預防措�

1、過熱:在設計過程中要合理選擇散熱器,確保IRFB4110PBF能夠有效散熱,避免過熱導�?lián)p壞�
  2、過流:在設計電路中添加過流保護電路,當電流超過設定值時及時切斷電路�
  3、過壓:使用合適的電源電�,避免過高的電壓損壞IRFB4110PBF�
  4、靜電放電:在操作IRFB4110PBF時,要注意防止靜電放電對其產(chǎn)生影�,可以采取接地保護措��
  5、環(huán)境干擾:避免將IRFB4110PBF安裝在高�、高濕度、強磁場等環(huán)境下,以免影響其正常工作�

irfb4110pbf推薦供應� 更多>

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irfb4110pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs210nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9620pF @ 50V
  • 功率 - 最�370W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件