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IRFB4115PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/8 11:49:17 查看 閱讀：440

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫歐 @ 62A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：150V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：104A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：120nC @ 10V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：5270pF @ 50V

    功率 - 最大：380W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB


資料

廠商
IR
Infineon / IR

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irfb4115pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C104A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 62A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V
  • 功率 - 最大380W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件