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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFB4227PBF

IRFB4227PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 22:20:02 查看 閱讀�15

IRFB4227PBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理�(yīng)�。這款MOSFET通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)��
  其設(shè)�(jì)目的是在高頻開關(guān)條件下提供高效性能,同�(shí)保持較低的功率損�。通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),IRFB4227PBF能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高性能的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵極源極電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:16W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝類型:TO-252

特�

IRFB4227PBF具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
  2. 高開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,從而提高系�(tǒng)效率�
  3. 低柵極電荷,減少了驅(qū)�(dòng)電路的能量需��
  4. 小尺寸TO-252封裝,適合空間受限的�(yīng)��
  5. 可靠性高,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  6. 寬泛的工作溫度范�,使其能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)��
  這些特點(diǎn)使得IRFB4227PBF成為許多高性能電源解決方案的理想選��

�(yīng)�

IRFB4227PBF廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�,如�(fēng)�、泵和小型電�(dòng)�(jī)控制�
  5. 通信�(shè)備中的電源管理模��
  6. 汽車電子中的電源控制單元�
  憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,該器件幾乎可以滿足所有需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗的�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5512, STP18NF06L

irfb4227pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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irfb4227pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C65A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 46A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4600pF @ 25V
  • 功率 - 最�330W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件