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IRFB4332PBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/8 11:37:50 查看 閱讀:632

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

   


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:33 毫歐 @ 35A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):250V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:60A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :5860pF @ 25V

    功率 - 最大:390W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)

    包裝:管件

    供應商設備封裝:TO-220AB


資料

廠商
Infineon Technologies

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irfb4332pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫歐 @ 35A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5860pF @ 25V
  • 功率 - 最大390W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封裝TO-220AB
  • 包裝管件