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時(shí)間：2025/5/13 8:50:27
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IRFB59N10DPBF 是一款 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），由 Vishay International Rectifier 提供。該器件采用 DPAK 封裝，適用于需要高效能開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其高效率、低功耗和卓越的熱性能使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的理想選擇。
型號(hào)：IRFB59N10DPBF
封裝：DPAK (TO-252)
Vds（漏源極擊穿電壓）：100V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值，@Vgs=10V）：6.5mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：40A
Ptot（總耗散功率，@Tc=25℃）：73W
f（工作頻率范圍）：高達(dá) 500kHz
Qg（柵極電荷，典型值）：28nC
Vgs(th)（柵源開啟電壓）：2.5V 至 4.0V
Tj（結(jié)溫范圍）：-55℃ 至 175℃
IRFB59N10DPBF 具有以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可有效減少傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
2. 高 Vds 耐壓能力，能夠承受高達(dá) 100V 的漏源極電壓，適合多種高壓應(yīng)用環(huán)境。
3. 大電流處理能力，連續(xù)漏極電流 Id 達(dá)到 40A，確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 優(yōu)化的柵極電荷 Qg，有助于降低開關(guān)損耗，提升高頻性能。
5. 支持寬廣的工作溫度范圍，從 -55℃ 到 175℃，適應(yīng)極端環(huán)境需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
IRFB59N10DPBF 廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開關(guān)。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
6. 可再生能源系統(tǒng)，如太陽能微逆變器。
IRFB3207PbF, IRF540N, STP55NF06L
