国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/13 8:50:27 查看 閱讀:20

IRFB59N10DPBF 是一款 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),由 Vishay International Rectifier 提供。該器件采用 DPAK 封裝,適用于需要高效能開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其高效率、低功耗和卓越的熱性能使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):IRFB59N10DPBF
  封裝:DPAK (TO-252)
  Vds(漏源極擊穿電壓):100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@Vgs=10V):6.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):40A
  Ptot(總耗散功率,@Tc=25℃):73W
  f(工作頻率范圍):高達(dá) 500kHz
  Qg(柵極電荷,典型值):28nC
  Vgs(th)(柵源開啟電壓):2.5V 至 4.0V
  Tj(結(jié)溫范圍):-55℃ 至 175℃

特性

IRFB59N10DPBF 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 高 Vds 耐壓能力,能夠承受高達(dá) 100V 的漏源極電壓,適合多種高壓應(yīng)用環(huán)境。
  3. 大電流處理能力,連續(xù)漏極電流 Id 達(dá)到 40A,確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 優(yōu)化的柵極電荷 Qg,有助于降低開關(guān)損耗,提升高頻性能。
  5. 支持寬廣的工作溫度范圍,從 -55℃ 到 175℃,適應(yīng)極端環(huán)境需求。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

IRFB59N10DPBF 廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開關(guān)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  6. 可再生能源系統(tǒng),如太陽能微逆變器。

替代型號(hào)

IRFB3207PbF, IRF540N, STP55NF06L

irfb59n10dpbf推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfb59n10dpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfb59n10dpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C59A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 35.4A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2450pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB59N10DPBF