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IRFB59N10DPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:50:27 查看 閱讀�20

IRFB59N10DPBF 是一� N 溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Vishay International Rectifier 提供。該器件采用 DPAK 封裝,適用于需要高效能開關(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其高效率、低功耗和卓越的熱性能使其成為工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):IRFB59N10DPBF
  封裝:DPAK (TO-252)
  Vds(漏源極擊穿電壓):100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型�,@Vgs=10V):6.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):40A
  Ptot(總耗散功率,@Tc=25℃)�73W
  f(工作頻率范圍):高�(dá) 500kHz
  Qg(柵極電�,典型值)�28nC
  Vgs(th)(柵源開啟電壓)�2.5V � 4.0V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � 175�

特�

IRFB59N10DPBF 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. � Vds 耐壓能力,能夠承受高�(dá) 100V 的漏源極電壓,適合多種高壓應(yīng)用環(huán)境�
  3. 大電流處理能�,連續(xù)漏極電流 Id �(dá)� 40A,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(yōu)化的柵極電荷 Qg,有助于降低開關(guān)損耗,提升高頻性能�
  5. 支持寬廣的工作溫度范�,從 -55� � 175�,適�(yīng)極端�(huán)境需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

IRFB59N10DPBF 廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器設(shè)�(jì)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開�(guān)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
  6. 可再生能源系�(tǒng),如太陽能微逆變��

替代型號(hào)

IRFB3207PbF, IRF540N, STP55NF06L

irfb59n10dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfb59n10dpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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irfb59n10dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C59A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 35.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs114nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2450pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.8W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB59N10DPBF