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IRFB7434PBF 發(fā)布時間 時間:2024/8/23 15:37:06 查看 閱讀:876

改進的門、雪崩和動態(tài)dV/dt堅固性
  全特征電容和雪崩SOA
  增強體二極管dV/dt和dI/dt能力2
  無鉛
  符合RoHS標準,無鹵素*

應用說明

有刷電機驅(qū)動應用
  BLDC電機驅(qū)動應用
  電池供電電路
  半橋和全橋拓撲
  同步整流器應用
  諧振模式電源
  OR和冗余電源開關(guān)
  DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器
  直流/交流逆變器

技術(shù)參數(shù)

額定功率:294 W
  針腳數(shù):3
  漏源極電阻:0.00125Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率:294 W
  閾值電壓:3 V
  輸入電容:10820 pF
  漏源極電壓(Vds):40 V
  漏源擊穿電壓:40 V
  連續(xù)漏極電流(Ids):317A
  上升時間:68 ns
  輸入電容(Ciss):10820pF 25V(Vds)
  額定功率(Max):294 W
  下降時間:68 ns
  工作溫度(Max):175℃
  工作溫度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):294W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳數(shù):3
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

長度:10.67 mm
  寬度:4.83 mm
  高度:16.51 mm
  封裝:TO-220-3

符合標準

RoHS標準:RoHS Compliant
  含鉛標準:Lead Free

其他

產(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應用:電機驅(qū)動與控制,消費電子產(chǎn)品,電源管理

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irfb7434pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列StrongIRFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫歐 @ 100A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs324nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds10820 @ 25V
  • 功率 - 最大294W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封裝TO-220AB
  • 包裝管件