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IRFBC20PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 11:12:16 查看 閱讀:12

IRFBC20PBF是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252(DPAK)封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性,適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了在高頻開關(guān)條件下的效率表現(xiàn),并提供了出色的熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:13A
  導(dǎo)通電阻:18mΩ
  柵極電荷:14nC
  總電容:1260pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:TO-252(DPAK)

特性

IRFBC20PBF的主要特性包括:
  1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力,得益于其低導(dǎo)通電阻(18mΩ),從而減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開關(guān)性能,柵極電荷僅為14nC,能夠顯著降低開關(guān)損耗。
  3. 較高的最大漏源電壓(100V),使其適用于多種高壓應(yīng)用場景。
  4. 連續(xù)漏極電流可達(dá)13A,確保在大電流負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 工作結(jié)溫范圍寬廣(-55℃至175℃),適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
  6. 封裝為TO-252(DPAK),提供良好的散熱性能以及緊湊的安裝方式。
  這些特性共同使得IRFBC20PBF成為高效功率管理的理想選擇。

應(yīng)用

IRFBC20PBF廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括適配器和充電器。
  2. 各種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
  4. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  5. 通信設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率級(jí)元件。
  由于其優(yōu)秀的電氣特性和可靠性,該器件在許多需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

IRFBC20N10PBF

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irfbc20pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 歐姆 @ 1.3A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFBC20PBF