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IRFBC30ASTRLPBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/8 11:21:33 查看 閱讀：554

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

   

目錄

概述

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 歐姆 @ 2.2A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：600V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：3.6A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：510pF @ 25V

    功率 - 最大：74W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：D2Pak，TO-263（2 引線 + 接片）

    包裝：帶卷 (TR)

    供應商設備封裝：*


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  • 數(shù)據(jù)列表IRFBC30AS,AL, SiHFBC30AS,AL
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.2 歐姆 @ 2.2A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大74W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應商設備封裝D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)