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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFH5304TRPBF

IRFH5304TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 15:57:01 查看 閱讀�26

IRFH5304TRPBF 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N �(méi)爾場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-MOSFET)。該器件采用 P-Channel 技�(shù),適用于中低功率�(yīng)用場(chǎng)合。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,非常適合于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)��
  IRFH5304TRPBF 的封裝形式為 TO-263-3(D2PAK�,這使得其具備良好的散熱性能和易� PCB 布局�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�39A
  �(dǎo)通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷�18nC
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  總功耗:180W

特�

IRFH5304TRPBF 提供了非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系�(tǒng)效率。此外,該器件的高雪崩能量能力使其能夠在惡劣的工作條件下保持可靠�(yùn)��
  由于采用了先�(jìn)的制造工�,這款 MOSFET 具有更快的開(kāi)�(guān)速度和更小的�(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  在熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性方�,TO-263-3 封裝提供了卓越的表現(xiàn),允許更高的電流密度和更好的散熱性能�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品、工�(yè)�(shè)備以及汽�(chē)�(lǐng)域中的各種電路設(shè)�(jì)�
  典型�(yīng)用包括但不限于:�(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制電路、電池保�(hù)電路以及�(fù)載切換等�(chǎng)��
  在汽�(chē)電子�(lǐng)�,IRFH5304TRPBF 可用于啟�(dòng)馬達(dá)�(qū)�(dòng)、發(fā)電機(jī)�(diào)節(jié)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5570
  IXFN50N06T2

irfh5304trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irfh5304trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C22A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐 @ 47A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2360pF @ 10V
  • 功率 - 最�3.6W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PQFN�5x6)單芯片焊盤(pán)
  • 包裝帶卷 (TR)