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IRFH5304TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 15:57:01 查看 閱讀：26

IRFH5304TRPBF 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的 N 沒(méi)爾場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-MOSFET）。該器件采用 P-Channel 技術(shù)，適用于中低功率應(yīng)用場(chǎng)合。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，非常適合于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。
　　IRFH5304TRPBF 的封裝形式為 TO-263-3（D2PAK），這使得其具備良好的散熱性能和易于 PCB 布局設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：50V
　　連續(xù)漏極電流：39A
　　導(dǎo)通電阻：7.5mΩ
　　柵極電荷：18nC
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
　　總功耗：180W

特性

IRFH5304TRPBF 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系統(tǒng)效率。此外，該器件的高雪崩能量能力使其能夠在惡劣的工作條件下保持可靠運(yùn)行。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，這款 MOSFET 具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更小的開(kāi)關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　在熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性方面，TO-263-3 封裝提供了卓越的表現(xiàn)，允許更高的電流密度和更好的散熱性能。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及汽車(chē)領(lǐng)域中的各種電路設(shè)計(jì)。
　　典型應(yīng)用包括但不限于：開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制電路、電池保護(hù)電路以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。
　　在汽車(chē)電子領(lǐng)域，IRFH5304TRPBF 可用于啟動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、發(fā)電機(jī)調(diào)節(jié)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。

替代型號(hào)

IRF540N
　　STP55NF06L
　　FDP5570
　　IXFN50N06T2

irfh5304trpbf推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

irfh5304trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C22A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐 @ 47A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.35V @ 50µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2360pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PQFN（5x6）單芯片焊盤(pán)
  • 包裝帶卷 (TR)