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IRFI530GPBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/9 14:43:54 查看 閱讀:660

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:160 毫歐 @ 5.8A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:9.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:33nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :670pF @ 25V

    功率 - 最大:42W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線,隔離式),ITO-220AB

    包裝:管件

    供應商設備封裝:*

    其它名稱:*IRFI530GPBF


資料

廠商
VISHAY

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfi530gpbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫歐 @ 5.8A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大42W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封裝,隔離接片
  • 供應商設備封裝TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFI530GPBF