時間：2023/3/9 14:43:54
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類別：分離式半導體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：HEXFET?
類別：分離式半導體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫歐 @ 5.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：9.7A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：670pF @ 25V
功率 - 最大：42W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 全封裝（直引線，隔離式），ITO-220AB
包裝：管件
供應商設備封裝：*
其它名稱：*IRFI530GPBF
| 廠商 |
|---|
| VISHAY |
