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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFIB41N15DPBF

IRFIB41N15DPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:02:32 查看 閱讀�38

IRFIB41N15DPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET芯片,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)。該器件�(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠滿足工�(yè)、汽�(chē)以及消費(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)�?qū)Ω咝茈娫垂芾淼男�?。它通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他需要高性能�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  該型�(hào)中的后綴'DPBF'表明其封裝形式為T(mén)O-264-3(也�(chēng)為DPAK�,并且經(jīng)�(guò)了特定的工藝處理以提升可靠性和散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�8.7A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.29Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�11nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�12ns,關(guān)斷傳播時(shí)�36ns
  功耗:15W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 高擊穿電�,適合高壓環(huán)境下的開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻電路�
  4. 封裝形式具備良好的散熱性能,可有效降低熱阻�
  5. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)要求,簡(jiǎn)化了外圍電路�(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�

�(yīng)�

1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  2. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)的主開(kāi)�(guān)��
  3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制和保護(hù)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 各種便攜式設(shè)備的電池充電管理電路�
  6. 電信電源及逆變器的核心功率組件�

替代型號(hào)

IRFZ44N, IRF540N

irfib41n15dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfib41n15dpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
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irfib41n15dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C41A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2520pF @ 25V
  • 功率 - 最�48W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB 整包
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRFIB41N15DPBF