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IRFP1405PBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/7 16:42:52 查看 閱讀:387

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

   


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.3 毫歐 @ 95A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):55V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:95A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:180nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :5600pF @ 25V

    功率 - 最大:310W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-247-3 (直引線), TO-247AC

    包裝:散裝

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-247AC

    其它名稱:*IRFP1405PBF


資料

廠商
Infineon Technologies

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irfp1405pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C95A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫歐 @ 95A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大310W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247AC
  • 包裝散裝
  • 其它名稱*IRFP1405PBF