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IRFP4368PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/7 16:30:09 查看 閱讀:558

    類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

 


目錄

概述

    類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)

    開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫歐 @ 195A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):75V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:195A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :19230pF @ 50V

    功率 - 最大:520W

    安裝類(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-247-3 (直引線(xiàn)), TO-247AC

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-247AC


資料

廠商
IR
Infineon / IR

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irfp4368pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝25
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.85 毫歐 @ 195A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs570nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds19230pF @ 50V
  • 功率 - 最大520W
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247AC
  • 包裝管件