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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFP460APBF

IRFP460APBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/19 16:44:58 查看 閱讀�942

IRFP460APBF是一款N溝道金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。它是一種高功率功率MOSFET,適用于高頻和高速開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  IRFP460APBF具有低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)�(guān)損�,可以提供高效率的功率轉(zhuǎn)�。它的最大電流和電壓額定值分別為20安培�500伏特,使其成為適用于高功率應(yīng)用的理想選擇�
  該MOSFET采用銅焊�(pán)和鉛框架,以提供良好的熱�(dǎo)性和�(jī)械強(qiáng)�。它還具有低輸入和輸出電�,有助于降低�(kāi)�(guān)速度并提高設(shè)備的�(dòng)�(tài)性能�
  IRFP460APBF還具有過(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù)功能,可以保�(hù)器件免受�(guò)電流和過(guò)熱的損害。此�,它還具有良好的抗輻射特性,適用于高輻射�(huán)境下的應(yīng)��

參數(shù)指標(biāo)

1、最大漏�-源極電壓(VDS):500V
  2、最大漏電流(ID):20A
  3、最大功率(P):280W
  4、最大柵-源電壓(VGS):±20V
  5、開(kāi)啟延遲時(shí)間(ton):15ns
  6、關(guān)斷延遲時(shí)間(toff):85ns
  7、柵電荷(Qg):120nC
  8、導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.27Ω

組成�(jié)�(gòu)

IRFP460APBF采用了N溝道MOSFET的結(jié)�(gòu),主要由漏極、源�、柵極和�-源極之間的氧化層組成�

工作原理

IRFP460APBF的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓�(lái)控制漏極-源極之間的電流。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),MOSFET�(dǎo)通,電流從漏極流向源�;當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),MOSFET截止,電流無(wú)法從漏極流向源極�

技�(shù)要點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:IRFP460APBF具有較低的導(dǎo)通電�,可以提供高效率的功率轉(zhuǎn)��
  2、低�(kāi)�(guān)損耗:IRFP460APBF具有較低的開(kāi)�(guān)損�,可以提高設(shè)備的效率�
  3、高電壓和電流額定值:IRFP460APBF的最大電壓和電流額定值分別為500V�20A,適用于高功率應(yīng)��
  4、過(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù):IRFP460APBF具有�(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù)功能,可以保�(hù)器件免受�(guò)電流和過(guò)熱的損害�
  5、抗輻射特性:IRFP460APBF具有良好的抗輻射特性,適用于高輻射�(huán)境下的應(yīng)��

�(shè)�(jì)流程

1、根�(jù)具體�(yīng)用需求確定電路拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  2、根�(jù)電路要求選擇合適的電源電壓和電流�
  3、根�(jù)IRFP460APBF的參�(shù)和指�(biāo)�(jì)算所需的電阻、電容和電感等元件��
  4、根�(jù)IRFP460APBF的工作原理和技�(shù)要點(diǎn)�(shè)�(jì)柵極�(qū)�(dòng)電路�
  5、�(jìn)行電路仿真和�(yàn)�,調(diào)整電路參�(shù)以滿足設(shè)�(jì)要求�
  6、制作電路原型并�(jìn)行實(shí)�(yàn)�(yàn)��
  7、根�(jù)�(shí)�(yàn)�(jié)果�(jìn)行調(diào)整和�(yōu)�,確保設(shè)�(jì)的穩(wěn)定性和可靠性�
  8、�(jìn)行批量生�(chǎn)并�(jìn)行質(zhì)量檢�(cè)�

注意事項(xiàng)

1、在�(shè)�(jì)和使用過(guò)程中,需要注意控制柵極電�,避免超�(guò)最大額定��
  2、需要合理散�,避免過(guò)高的溫度�(duì)器件性能和壽命造成影響�
  3、需要遵守相�(guān)的安全規(guī)范和�(biāo)�(zhǔn),確保設(shè)備的安全可靠��

irfp460apbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfp460apbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfp460apbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFP460A
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 12A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs105nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 25V
  • 功率 - 最�280W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFP460APBF