IRFR1010Z 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 治金場效應晶體管(NMOSFET)。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,廣泛應用于各種功率轉換和電機驅動應用中。
該 MOSFET 的設計優(yōu)化了其在高頻工作條件下的性能表現(xiàn),同時具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用性。其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技術(SMT),從而節(jié)省空間并提高生產(chǎn)效率。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:8A
導通電阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,當 Vgs=10V 時)
柵極電荷:34nC
輸入電容:1340pF
總耗散功率:2.9W(在 Ta=25°C 時)
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
IRFR1010Z 具有以下主要特點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠有效減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能,適合高頻應用環(huán)境。
3. 小型化 DPAK 封裝,便于表面貼裝,提升 PCB 布局靈活性。
4. 高可靠性與熱穩(wěn)定性,確保長時間運行的安全性。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
IRFR1010Z 被廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流轉換器(DC-DC Converter)。
3. 電機驅動電路。
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
5. 消費類電子產(chǎn)品的負載切換和保護電路。
6. 太陽能逆變器及 LED 驅動等功率控制場景。
IRLZ44N, FDN340P