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IRFR1010Z 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 14:05:55 查看 閱讀:14

IRFR1010Z 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 治金場效應晶體管(NMOSFET)。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,廣泛應用于各種功率轉換和電機驅動應用中。
  該 MOSFET 的設計優(yōu)化了其在高頻工作條件下的性能表現(xiàn),同時具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用性。其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技術(SMT),從而節(jié)省空間并提高生產(chǎn)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導通電阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,當 Vgs=10V 時)
  柵極電荷:34nC
  輸入電容:1340pF
  總耗散功率:2.9W(在 Ta=25°C 時)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

IRFR1010Z 具有以下主要特點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠有效減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關性能,適合高頻應用環(huán)境。
  3. 小型化 DPAK 封裝,便于表面貼裝,提升 PCB 布局靈活性。
  4. 高可靠性與熱穩(wěn)定性,確保長時間運行的安全性。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。

應用

IRFR1010Z 被廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流轉換器(DC-DC Converter)。
  3. 電機驅動電路。
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
  5. 消費類電子產(chǎn)品的負載切換和保護電路。
  6. 太陽能逆變器及 LED 驅動等功率控制場景。

替代型號

IRLZ44N, FDN340P

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irfr1010z參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C42A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 42A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR1010Z