IRFR110TR 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝,適用于高電流和高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)性能,廣泛用于工�(yè)控制、電源管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
該器件的�(shè)�(jì)能夠承受較大的漏源電�,并且在高頻條件下仍能保持較低的功�。同�(shí),其柵驅(qū)�(dòng)電路集成�
型號(hào):IRFR110TR
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-264
漏源電壓(Vds):55V
連續(xù)漏極電流(Id):38A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.5V~4.5V
總功耗(Ptot):270W
工作溫度范圍�-55� to +175�
IRFR110TR 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,這使得器件在大電流應(yīng)用中具有較高的效率并減少熱損耗�
2. 高擊穿電壓(55V�,確保在較高電壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 柵極電荷較小,降低了�(qū)�(dòng)損耗,使器件更適合高頻�(chǎng)��
5. 寬溫度范圍(-55℃至+175℃),能夠在極端�(huán)境條件下�(wěn)定工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特點(diǎn)使其成為需要高效、高性能和可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
IRFR110TR 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器中的功率開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,特別是大電流電�(jī)的應(yīng)用�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)�(kāi)�(guān)�
6. 高效節(jié)能照明系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
由于其出色的性能,這款MOSFET非常適合需要高效率和高可靠性的電子�(shè)��
IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C