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時(shí)間：2025/6/4 18:03:26
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IRFR110TR 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，適用于高電流和高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛用于工業(yè)控制、電源管理以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
該器件的設(shè)計(jì)能夠承受較大的漏源電壓，并且在高頻條件下仍能保持較低的功耗。同時(shí)，其柵驅(qū)動(dòng)電路集成。
型號(hào)：IRFR110TR
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝：TO-264
漏源電壓（Vds）：55V
連續(xù)漏極電流（Id）：38A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：3.5mΩ
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：2.5V~4.5V
總功耗（Ptot）：270W
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
IRFR110TR 具有以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（3.5mΩ），這使得器件在大電流應(yīng)用中具有較高的效率并減少熱損耗。
2. 高擊穿電壓（55V），確保在較高電壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
4. 柵極電荷較小，降低了驅(qū)動(dòng)損耗，使器件更適合高頻場(chǎng)合。
5. 寬溫度范圍（-55℃至+175℃），能夠在極端環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
這些特點(diǎn)使其成為需要高效、高性能和可靠性的應(yīng)用的理想選擇。
IRFR110TR 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器中的功率開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路，特別是大電流電機(jī)的應(yīng)用。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)開(kāi)關(guān)。
6. 高效節(jié)能照明系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)。
由于其出色的性能，這款MOSFET非常適合需要高效率和高可靠性的電子設(shè)備。
IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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