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IRFR110TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:03:26 查看 閱讀�9

IRFR110TR 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝,適用于高電流和高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)性能,廣泛用于工�(yè)控制、電源管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該器件的�(shè)�(jì)能夠承受較大的漏源電�,并且在高頻條件下仍能保持較低的功�。同�(shí),其柵驅(qū)�(dòng)電路集成�

參數(shù)

型號(hào):IRFR110TR
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-264
  漏源電壓(Vds):55V
  連續(xù)漏極電流(Id):38A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.5V~4.5V
  總功耗(Ptot):270W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

IRFR110TR 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,這使得器件在大電流應(yīng)用中具有較高的效率并減少熱損耗�
  2. 高擊穿電壓(55V�,確保在較高電壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 柵極電荷較小,降低了�(qū)�(dòng)損耗,使器件更適合高頻�(chǎng)��
  5. 寬溫度范圍(-55℃至+175℃),能夠在極端�(huán)境條件下�(wěn)定工作�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  這些特點(diǎn)使其成為需要高效、高性能和可靠性的�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRFR110TR 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器中的功率開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,特別是大電流電�(jī)的應(yīng)用�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)�(kāi)�(guān)�
  6. 高效節(jié)能照明系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
  由于其出色的性能,這款MOSFET非常適合需要高效率和高可靠性的電子�(shè)��

替代型號(hào)

IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C

irfr110tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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irfr110tr資料 更多>

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irfr110tr參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR110, SiHRF110
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫歐 @ 2.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)