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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFR120NTRLPBF

IRFR120NTRLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:53:35 查看 閱讀�20

IRFR120NTRLPBF是英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其出色的性能使其在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車(chē)電子�(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用�

參數(shù)

型號(hào):IRFR120NTRLPBF
  �(lèi)型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極電壓):55V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):80A
  Ptot(總功耗)�175W
  封裝:TO-263
  工作溫度范圍�-55°C to +175°C
  柵極電荷�19nC

特�

IRFR120NTRLPBF采用了先�(jìn)的溝槽技�(shù)制造,具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,能夠支持高�(dá)80A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,特別適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. �(wěn)定性好,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 具有較高的雪崩擊穿能量,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  6. TO-263封裝形式,易于安裝且散熱性能良好�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景,具體包括�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與控制�
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的直流電�(jī)控制和逆變器模塊�
  5. 可再生能源領(lǐng)�,例如太�(yáng)能微型逆變器中的功率開(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

IRFR120NTRPBF, IRFR1204, FDP5500

irfr120ntrlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irfr120ntrlpbf資料 更多>

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irfr120ntrlpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 5.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最�48W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)