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IRFR120PBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/7 15:47:34 查看 閱讀:449

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫歐 @ 4.6A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:7.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :360pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:管件

    供應商設備封裝:*

    其它名稱:*IRFR120PBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irfr120pbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRFR120, IRFU120
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR120PBF