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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFR214PBF

IRFR214PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 15:47:11 查看 閱讀�635

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�2 歐姆 @ 1.3A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�250V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.2A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�8.2nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �140pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�*IRFR214PBF


資料

廠商
VISHAY

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  • �(chǎn)品型�
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irfr214pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR214, IRFU214
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 1.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR214PBF