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IRFR214PBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/7 15:47:11 查看 閱讀：635

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    

目錄

概述

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 歐姆 @ 1.3A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：250V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2.2A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：140pF @ 25V

    功率 - 最大：2.5W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

    其它名稱：*IRFR214PBF


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irfr214pbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRFR214, IRFU214
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 1.3A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR214PBF