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IRFR220PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/7 14:48:34 查看 閱讀：365

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

   

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫歐 @ 2.9A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.8A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：260pF @ 25V

    功率 - 最大：2.5W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irfr220pbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRFR220, IRFU220
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.8A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 2.9A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds260pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝管件