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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:19:25 查看 閱讀�23

IRFR24N15DTRPBF是英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。這款器件采用TO-263封裝,適用于高效�、高頻率開關應用,廣泛用于工�(yè)和消費電子領�。其主要特點包括低導通電�、高電流處理能力以及出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  最大連續(xù)漏極電流�7.9A
  導通電阻:0.18歐姆
  柵極電荷�22nC
  總功耗:25W
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C

特�

IRFR24N15DTRPBF是一款高效的功率MOSFET,具備以下優(yōu)點:
  1. 低導通電阻設計降低了導通損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電壓(150V)確保了其在高壓�(huán)境中的可靠��
  3. 采用TO-263封裝形式,具有良好的散熱性能�
  4. 快速開關速度和較低的柵極電荷使得該器件非常適合高頻應用�
  5. 工作溫度范圍�,適應各種惡劣的工作條件�

應用

該MOSFET適用于多種應用場�,例如電源管理電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、開關模式電源(SMPS�、不間斷電源(UPS)以及太陽能逆變器等。其高效率和高可靠性使其成為許多工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的理想選��

替代型號

IRFZ44N, IRFR24N15TRPBF

irfr24n15dtrpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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irfr24n15dtrpbf參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C24A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫歐 @ 14A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds890pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR24N15DTRPBF-NDIRFR24N15DTRPBFTR