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IRFR2607Z 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 15:16:39 查看 閱讀:18

IRFR2607Z是英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET,采用TOLL封裝形式。該器件主要應(yīng)用于高頻、高效能的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性使得IRFR2607Z在高電流密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
  這款MOSFET的工作電壓為40V,能夠滿足大部分低壓應(yīng)用的需求,同時(shí)具有較高的電流承載能力,適合需要大功率輸出的應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:133A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.55mΩ
  柵極電荷(典型值):90nC
  輸入電容(典型值):3860pF
  反向恢復(fù)時(shí)間:10ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃

特性

IRFR2607Z是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流處理能力,峰值電流可達(dá)133A,適用于大功率負(fù)載。
  3. 優(yōu)化的開關(guān)特性,減少開關(guān)損耗并提升整體效能。
  4. 快速的反向恢復(fù)時(shí)間,使其更適合高頻應(yīng)用。
  5. 寬溫度范圍支持,能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. TOLL封裝提供出色的散熱性能和可靠性,同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)(SMT)。
  這些特性使得IRFR2607Z成為工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用的理想選擇,尤其在需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速開關(guān)的場(chǎng)合。

應(yīng)用

IRFR2607Z廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)計(jì),用于提高效率和減小尺寸。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的車載充電系統(tǒng)中。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,包括家用電器、工業(yè)設(shè)備及電動(dòng)工具。
  4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的電池管理單元。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路。
  由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,IRFR2607Z非常適合需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFB3807Z, IRFH7443TRPbF, AOTF260L

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irfr2607z參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C42A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 30A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1440pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR2607Z