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IRFR2905ZTRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 19:03:10 查看 閱讀:22

IRFR2905ZTRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝,適用于多種高功率應(yīng)用場合。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高擊穿電壓,非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和其他需要高效能的電路設(shè)計(jì)中。
  這款MOSFET具有極高的電流承載能力,并且能夠承受較高的電壓,因此在工業(yè)控制、消費(fèi)電子和汽車電子等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:78A
  導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷:46nC
  輸入電容:2050pF
  總功耗:220W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +175℃

特性

IRFR2905ZTRPBF具備非常低的導(dǎo)通電阻(1.8mΩ),這使得它在大電流應(yīng)用中可以顯著減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體效率。
  此外,其快速開關(guān)特性使其適合高頻操作環(huán)境,同時(shí)由于采用了先進(jìn)的制造工藝,該器件擁有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性。
  在封裝方面,TO-263封裝提供了一個(gè)堅(jiān)固耐用的結(jié)構(gòu),易于安裝并有助于散熱管理。這種封裝形式還支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動化生產(chǎn)和組裝。
  該MOSFET還具有良好的雪崩能力和抗靜電能力,增強(qiáng)了其在惡劣環(huán)境中的可靠性。

應(yīng)用

IRFR2905ZTRPBF常被應(yīng)用于各種需要高功率處理的領(lǐng)域,例如:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動與控制
  4. 工業(yè)逆變器
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換
  6. 太陽能微逆變器
  7. 其他任何需要高性能功率開關(guān)的場合。

替代型號

IRFR2907ZPBF, IRFR2906ZPBF

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irfr2905ztrpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C42A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫歐 @ 36A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR2905ZPBFTRIRFR2905ZTRPBF-NDIRFR2905ZTRPBFTR-ND