IRFR310P是由英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的場(chǎng)景。其采用TO-252封裝形式,適合表面貼裝工藝。IRFR310P以其低導(dǎo)通電阻和高效率著稱(chēng),在工業(yè)控制、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和汽車(chē)電子領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。
該MOSFET在設(shè)計(jì)上注重降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)具備良好的熱性能,使其能夠勝任多種中等功率的應(yīng)用需求。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:17A
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):9mΩ
柵極電荷:16nC
總電容(Ciss):2250pF
輸入電容:2250pF
輸出電容:840pF
反向傳輸電容:360pF
功耗:15W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
IRFR310P是一款高性能N溝道MOSFET,具有以下顯著特點(diǎn):
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力,支持高達(dá)17A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,得益于較小的柵極電荷和較低的寄生電容,使得開(kāi)關(guān)速度更快,從而降低開(kāi)關(guān)損耗。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
5. 表面貼裝封裝(TO-252),易于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝,提升制造效率。
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃),適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
7. 具備較高的漏源擊穿電壓(60V),保證了器件在高壓條件下的安全性與可靠性。
IRFR310P因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器及LED驅(qū)動(dòng)電源。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:用于筆記本電腦、平板設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的電源管理。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):為家用電器、工業(yè)設(shè)備中的小型電機(jī)提供高效的驅(qū)動(dòng)方案。
4. 工業(yè)控制:包括逆變器、伺服控制器以及其他電力電子控制系統(tǒng)。
5. 汽車(chē)電子:如車(chē)載充電器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)以及車(chē)身電子控制單元(ECU)。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于鋰離子電池組的保護(hù)和能量管理。
IRFZ44N, FDP5570, SI4855DY