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IRFR3410TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 9:50:11 查看 閱讀:9

IRFR3410TRPBF 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件由英飛凌(Infineon)制造,主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)控制、逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。其設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,從而提高效率并減少功耗。
  這種MOSFET具有較低的漏源導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn)。此外,它還具備較高的雪崩擊穿能力,能夠承受一定的過載情況。

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):60V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  連續(xù)漏極電流(ID):49A
  脈沖漏極電流(IDM):150A
  漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ
  總柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):3380pF
  輸出電容(Coss):137pF
  反向傳輸電容(Crss):107pF
  結(jié)溫范圍(TJ):-55℃ to +175℃

特性

IRFR3410TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具備以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗,并提升整體效率。
  2. 優(yōu)化的開關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用場合。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在異常工作條件下的可靠性。
  4. TO-263封裝形式,易于安裝且散熱性能良好。
  5. 廣泛的工作溫度范圍,確保在各種環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)溫。

應(yīng)用

IRFR3410TRPBF廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
  2. 電動工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的逆變器與變頻器。
  4. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)。
  5. 各類DC/DC轉(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件。
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。

替代型號

IRFZ44N, FDP5800, AON6214

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irfr3410trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫歐 @ 18A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1690pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)