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IRFR5305TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/6/26 16:13:23 查看 閱讀:291

IRFR5305TRPBF是國(guó)際整流器(International Rectifier)公司生產(chǎn)的一種功率MOSFET。它采用了N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu),能夠在低電壓下提供高效的開(kāi)關(guān)和放大功能。該器件被封裝在TO-252(DPAK)封裝中,適用于表面貼裝技術(shù)。
  IRFR5305TRPBF是一種MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其工作原理基于溝道的電流控制。當(dāng)施加正向電壓到門(mén)極時(shí),溝道中形成了一個(gè)導(dǎo)電通道,電流可以從源極流向漏極。通過(guò)改變門(mén)源電壓,可以控制溝道的導(dǎo)電程度,從而控制電流的流動(dòng)。

基本結(jié)構(gòu)

IRFR5305TRPBF的基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和門(mén)極。源極是MOSFET的電流進(jìn)入點(diǎn),漏極是電流流出點(diǎn),而門(mén)極則用于控制溝道的導(dǎo)電狀態(tài)。這三個(gè)部分之間通過(guò)絕緣層(氧化層)隔離,以防止漏電流發(fā)生。

參數(shù)

●額定電壓(VDS):55V
  ●額定電流(ID):31A
  ●導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.065Ω
  ●最大功率(PD):130W
  ●門(mén)源電壓(VGS(th)):2V - 4V
  ●最大工作溫度(Tj):175℃

特點(diǎn)

1、低導(dǎo)通電阻:IRFR5305TRPBF具有低導(dǎo)通電阻,能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下降低功耗,并提供高效的電流傳輸。
  2、高開(kāi)關(guān)速度:該器件具有快速的開(kāi)關(guān)速度,能夠在高頻率下實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作。
  3、低閾值電壓:IRFR5305TRPBF具有低的門(mén)源閾值電壓,可以在低電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的開(kāi)關(guān)和放大操作。
  4、熱穩(wěn)定性:該器件具有良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  5、表面貼裝封裝:IRFR5305TRPBF封裝在TO-252(DPAK)中,適用于表面貼裝技術(shù),易于安裝和制造。

工作原理

IRFR5305TRPBF是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其工作原理基于溝道的電流控制。當(dāng)施加正向電壓到門(mén)極時(shí),溝道中形成了一個(gè)導(dǎo)電通道,電流可以從源極流向漏極。通過(guò)改變門(mén)源電壓,可以控制溝道的導(dǎo)電程度,從而控制電流的流動(dòng)。

應(yīng)用

IRFR5305TRPBF廣泛應(yīng)用于各種功率開(kāi)關(guān)電路中,包括:
  ●電源管理系統(tǒng)
  ●直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器
  ●逆變器和變頻器
  ●電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  ●照明系統(tǒng)
  ●電池充電器

如何使用

在使用IRFR5305TRPBF之前,請(qǐng)注意以下幾點(diǎn):
  1、請(qǐng)確保器件的工作電壓和電流在額定范圍內(nèi)。
  2、使用適當(dāng)?shù)纳嵯到y(tǒng)來(lái)控制器件的溫度,以保證穩(wěn)定和可靠的工作。
  3、在開(kāi)關(guān)操作中,請(qǐng)使用合適的電壓脈沖來(lái)控制門(mén)極電壓。
  4、注意器件的極性,正確連接源極、漏極和門(mén)極。

安裝要點(diǎn)

在使用IRFR5305TRPBF進(jìn)行開(kāi)發(fā)時(shí),需要注意以下幾個(gè)安裝要點(diǎn):
  1、安裝位置:將IRFR5305TRPBF安裝在散熱器上,以便有效地散發(fā)熱量。確保散熱器與IRFR5305TRPBF之間有良好的熱界面接觸。
  2、焊接:正確地焊接IRFR5305TRPBF引腳,避免過(guò)熱和過(guò)度應(yīng)力。使用適當(dāng)?shù)暮附庸ぞ吆图夹g(shù),遵循正確的焊接溫度和時(shí)間。
  3、焊盤(pán)設(shè)計(jì):確保PCB上的焊盤(pán)大小和形狀與IRFR5305TRPBF引腳匹配,以確保良好的焊接連接。
  4、焊接溫度:根據(jù)IRFR5305TRPBF的規(guī)格書(shū),確定正確的焊接溫度范圍,并避免超過(guò)該范圍。過(guò)高的焊接溫度可能會(huì)損壞器件。

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irfr5305trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 16A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRFR5305PBFTR