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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF 發(fā)布時間 時間�2024/7/2 14:40:37 查看 閱讀�338

IRFR9024NTRPBF是一款N溝道MOSFET,采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻、高電壓承受能力、低輸入電容等特點。該器件可用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)�、電機控制等�(yīng)用場��
  IRFR9024NTRPBF的導(dǎo)通電阻為0.45Ω,最大承受電壓為60V,最大漏極電流為5A。其輸入電容�580pF,開�(guān)速度較快,有利于提高系統(tǒng)的開�(guān)速度和效率。此�,該器件還具有熱�(wěn)定性好、可靠性高等優(yōu)點�
  IRFR9024NTRPBF可與控制�、驅(qū)動電路等配合使用,實�(xiàn)電路控制。其�(yīng)用范圍廣泛,可用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機控制、照明控制等�(lǐng)�。在電源管理方面,IRFR9024NTRPBF可用于開�(guān)電源、逆變器、UPS等電路中,提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性;在電機控制方�,IRFR9024NTRPBF可用于直流電機驅(qū)�、步進電機驅(qū)動等控制電路�,提高電機的運行效率和精��

參數(shù)與指�(biāo)

1.�(dǎo)通電阻:0.45Ω
  2.最大承受電壓:60V
  3.最大漏極電流:5A
  4.輸入電容�580pF
  5.工作溫度范圍�-55� ~ 175�

組成�(jié)�(gòu)

IRFR9024NTRPBF由漏極、源�、柵極三個電極組�。漏極是器件的輸出端,源極是器件的輸入端,柵極是控制器對器件進行控制的輸入端。柵極和漏極之間的電容為輸入電容,是器件輸入信號的一部分�

工作原理

IRFR9024NTRPBF的工作原理如下:
  1.�(dǎo)通狀�(tài)
  �(dāng)柵極電壓高于門檻電壓時,柵極和源極之間形成電場,使得N溝道中的電子被吸引向源極,溝道形�,器件導(dǎo)��
  2.截止?fàn)顟B(tài)
  �(dāng)柵極電壓低于門檻電壓時,柵極和源極之間的電場消失,溝道中的電子被重新分�,器件截��

技�(shù)要點

IRFR9024NTRPBF的技�(shù)要點如下�
  1.低導(dǎo)通電阻:IRFR9024NTRPBF的導(dǎo)通電阻為0.45Ω,能夠降低系�(tǒng)電壓降和功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2.高電壓承受能力:IRFR9024NTRPBF最大承受電壓為60V,能夠滿足多種應(yīng)用場合的需��
  3.低輸入電容:IRFR9024NTRPBF輸入電容�580pF,開�(guān)速度較快,有利于提高系統(tǒng)的開�(guān)速度和效��
  4.熱穩(wěn)定性好:IRFR9024NTRPBF采用了先進的MOSFET技�(shù),具有良好的熱穩(wěn)定�,能夠保證器件長時間�(wěn)定工��

�(shè)計流�

IRFR9024NTRPBF的設(shè)計流程如下:
  1.確定�(yīng)用場合和需求,包括電壓、電�、頻�、溫度等參數(shù)�
  2.根據(jù)�(yīng)用需求選擇合適的MOSFET,包括芯片尺�、導(dǎo)通電�、最大承受電壓等參數(shù)�
  3.進行電路�(shè)計和仿真,包括電路拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)、控制電路、驅(qū)動電路等�
  4.進行原型機制作和測試,包括電路板�(shè)�、元器件布局、焊接等�
  5.進行測試和驗�,包括電路性能測試、可靠性測試等�

常見故障及預(yù)防措�

IRFR9024NTRPBF的常見故障及�(yù)防措施如下:
  1.漏電流過大:可能是因為器件損壞、靜電放電等原因造成�,應(yīng)注意保護器件,避免靜電放電等危害�
  2.�(dǎo)通電阻過大:可能是因為器件加熱、金屬接觸不良等原因造成�,應(yīng)注意散熱和金屬接觸質(zhì)��
  3.輸入電容過大:可能是因為電路�(shè)計不合理、器件損壞等原因造成�,應(yīng)注意電路�(shè)計和器件保護�
  4.器件損壞:可能是因為靜電放電、過�、過壓等原因造成�,應(yīng)注意保護器件免受這些危害�

irfr9024ntrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfr9024ntrpbf資料 更多>

  • 型號
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irfr9024ntrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫歐 @ 6.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最�38W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR9024NPBFTR